6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術。

報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。

SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道稱該技術的具體實現(xiàn)方式是在處理器和 HBM 芯片間建立硅中介層。

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場上表示，其 SAINT-D 技術目前正處于概念驗證階段。

韓媒表示，SAINT-D 技術有望改變 AI 半導體領域的游戲規(guī)則：

目前 HBM 內(nèi)存與處理器之間采用 2.5D 封裝連接，兩者之間存在一定距離，不僅引入了更大傳輸延遲，同時還影響了電信號質(zhì)量、提升了數(shù)據(jù)移動功耗。

而 SAINT-D 技術將處理器和 HBM 內(nèi)存的距離降到更低，有利于 AI 加速器芯片進一步釋放性能潛力。

對于三星電子整體而言，由于可提供從先進節(jié)點代工、HBM 內(nèi)存生產(chǎn)到整體封裝集成的全流程“交鑰匙”服務，SAINT-D 的應用也可帶動 HBM 和代工業(yè)務的發(fā)展。

根據(jù)市場研究機構 MGI 的數(shù)據(jù)，SAINT-D 等先進封裝市場的規(guī)模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元。